[发明专利]一种超薄层羟镁铝石材料及其制备方法与应用有效
| 申请号： | 202111113989.3 | 申请日： | 2021-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN113830805B | 公开（公告）日： | 2023-04-18 |
| 发明（设计）人： | 曹耀武;苗哲彦;唐保春;马月花;宋泓禹;郭清海 | 申请（专利权）人： | 中国地质大学（武汉）;青海省水文地质工程地质环境地质调查院 |
| 主分类号： | C01F7/00 | 分类号： | C01F7/00;B82Y40/00;B01J20/30;B01J20/08;C02F1/28;C02F101/22 |
| 代理公司： | 武汉知产时代知识产权代理有限公司 42238 | 代理人： | 万文广 |
| 地址： | 430000 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种超薄层羟镁铝石及其制备方法与应用。该制备方法以氧化镁、氢氧化铝和水为原材料在高速流体剪切力和强烈振动力的作用下，晶核的团聚受到抑制，在甲酰胺溶剂中通过机械振动，得到纳米片层结构的超薄层羟镁铝石材料。该材料为层状双羟基复合金属氢氧化物，片层厚度为10nm～20nm，其层间仅含有羟基，具有较大的比表面积和高度暴露的活性位点，而且在处理污染物的过程中不会产生二次污染，具有显著的优越性。对Cr(Ⅵ)的吸附去除率高达99.82％，吸附容量高达12.98mg/g。本发明提供的制备方法，具有原材料易得、操作简单，对设备要求低、能耗小和生产成本低等优点，产率高达92％以上，可实现规模化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄层 羟镁铝 石材 料及 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
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