[发明专利]一种InGaN掺杂性能的仿真方法在审
| 申请号： | 202111114854.9 | 申请日： | 2021-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN113919143A | 公开（公告）日： | 2022-01-11 |
| 发明（设计）人： | 单恒升;刘胜威;梅云俭;徐超明;郝晓东;马淑芳;许并社 | 申请（专利权）人： | 陕西科技大学 |
| 主分类号： | G06F30/20 | 分类号： | G06F30/20;G06F119/02 |
| 代理公司： | 西安鼎迈知识产权代理事务所(普通合伙) 61263 | 代理人： | 李振瑞 |
| 地址： | 710000*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种InGaN掺杂性能的仿真方法，包括：构建GaN晶体模型；对GaN晶体模型的原胞进行扩建，形成超胞；对超胞中的Ga原子使用In原子在不同位置上进行替换，以对超胞进行掺杂；对掺杂后的超胞进行优化；对优化后的超胞进行性质模拟，获得In原子掺杂下的InGaN合金的特性数据文件；对特性数据文件进行分析，获得InGaN合金材料的性能数据。本发明采用软件仿真的方式模拟InGaN的掺杂性能，无需进行实验，也无需各类昂贵的测试仪器，节约了大量时间与科研成本，为高性能InGaN储氢材料的研制提供技术积累，对推动碳中和技术的发展具有积极意义。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 ingan 掺杂 性能 仿真 方法 | ||
【主权项】：
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