[发明专利]氮化镓外延层在审
| 申请号： | 202111116823.7 | 申请日： | 2021-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN114447096A | 公开（公告）日： | 2022-05-06 |
| 发明（设计）人： | 李克涛;杜晓沨;李宁;张信 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/778;H01L21/02;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 张昊 |
| 地址： | 美国纽*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开涉及氮化镓外延层。例如，提供了一种制造电子器件的方法。该方法包括在硅基衬底上形成介电层，蚀刻掉介电层的部分以形成介电层的剩余部分的交叉网格图案并暴露介电层被去除的区域中的衬底，在衬底上在介电层的剩余部分的侧壁之间的生长区域中形成GaN基层，以及在GaN基层上形成半导体器件。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 外延 | ||
【主权项】：
暂无信息
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