[发明专利]非易失性存储器及其数据擦除方法在审
| 申请号： | 202111117944.3 | 申请日： | 2021-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN113870925A | 公开（公告）日： | 2021-12-31 |
| 发明（设计）人： | 杨涛;赵冬雪;夏志良 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | G11C16/04 | 分类号： | G11C16/04;G11C16/14;H01L27/11524;H01L27/11556;H01L27/1157;H01L27/11582 |
| 代理公司： | 北京英思普睿知识产权代理有限公司 16018 | 代理人： | 刘莹;聂国斌 |
| 地址： | 430000 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种非易失性存储器及数据擦除方法。存储器包括多个存储块，存储块包括由下至上堆叠的多个层级，层级包括多个存储单元，相邻的层级之间设置有伪存储单元。方法包括：向多个层级中待进行擦除操作的第一层级施加具有台阶状上升的电压波形的台阶擦除电压；在台阶擦除电压从其中间电平升高至其峰值电平期间，将至少一个预定区域的电压从其起始电平升高至其峰值电平，从而在第一层级中生成栅极感应漏极泄漏电流，其中预定区域邻近第一层级并包括至少一个伪存储单元。通过将预定区域设置在邻近待进行擦除操作的层级处，并对预定区域所包括的伪存储单元施加辅助电压，能够在维持存储器性能的基础上，改善栅极感应漏极泄漏电流。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性存储器 及其 数据 擦除 方法 | ||
【主权项】：
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