[发明专利]一种MOS管分流关断的可控硅开关电路在审

专利信息
申请号: 202111118463.4 申请日: 2021-09-24
公开(公告)号: CN113726135A 公开(公告)日: 2021-11-30
发明(设计)人: 何志毅;卯龙;犹元彬;陈礼傲;郑岩 申请(专利权)人: 桂林电子科技大学
主分类号: H02M1/088 分类号: H02M1/088;H05B33/08
代理公司: 桂林市华杰专利商标事务所有限责任公司 45112 代理人: 陆梦云
地址: 541004 广西*** 国省代码: 广西;45
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供了一种MOS管分流关断的可控硅开关电路,可控硅具有高反向耐压和大峰值电流承受能力,适用于对容性负载如电致发光器件的控制。可控硅在触发导通后即使撤除门极控制电压/电流,在一定工作电流以上(维持电流)会一直处于自锁导通状态而不会自行关断。在本发明容性负载驱动电源半桥开关电路中,可控硅导通时承担容性负载充放电的瞬时峰值大电流,在其两端并联MOS管并分担开关电路导通后的持续电流,对所述可控硅短接分流使它工作在维持电流以下从而在其门极无电流输入时能够关断,使所述开关电路能够正常工作并保证高峰值电流冲击下的可靠性。
搜索关键词: 一种 mos 分流 可控硅 开关电路
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于桂林电子科技大学,未经桂林电子科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202111118463.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top