[发明专利]应用于功率变换器中的MOS管栅极驱动电路有效

专利信息
申请号: 202111118558.6 申请日: 2021-09-24
公开(公告)号: CN113659816B 公开(公告)日: 2023-06-20
发明(设计)人: 赵燕霞;杨权山;邱雨 申请(专利权)人: 深圳市伟安特电子有限公司
主分类号: H02M1/088 分类号: H02M1/088;H02M1/34
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 518000 广东省深圳市福田区福田*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 本申请涉及一种应用于功率变换器中的MOS管栅极驱动电路,包括多级电容电荷缓存电路,多级电容电荷缓存电路与功率MOS管Q1栅极电连接并用于在功率MOS管Q1栅极的电容放电时吸收电荷进行缓存,多级电容电荷缓存电路还用于在功率MOS管Q1栅极的电容需要电荷时输出缓存的电荷;所述的电荷补充电路与功率MOS管Q1栅极电连接并用于在功率MOS管Q1栅极的电容需要电荷时输出补充的电荷。本申请可将功率MOS管关闭时多余的电荷进行暂存,而且暂存的效率非常高,等到功率MOS管栅极再次需要时候还可以再次还给功率MOS管栅极,并且在整个过程中需要补充的电荷非常少,实际上需要补充的电荷仅仅是微小的额外负载消耗。
搜索关键词: 应用于 功率 变换器 中的 mos 栅极 驱动 电路
【主权项】:
暂无信息
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