[发明专利]LDMOS器件及其形成方法在审
| 申请号： | 202111119049.5 | 申请日： | 2021-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN113921591A | 公开（公告）日： | 2022-01-11 |
| 发明（设计）人： | 张晗;杨新杰;金锋;乐薇 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/10;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 黎伟 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请公开了一种LDMOS器件及其形成方法，该器件包括：外延层，其形成有环绕设置的第一STI结构和环绕设置的第二STI结构，第二STI结构位于第一STI结构的外周侧；栅极，其形成于外延层上方，栅极位于第一STI结构所绕的区域内，栅极和外延层之间形成有栅介电层；外延层中形成有阱区和轻掺杂区，阱区和轻掺杂区接触；栅极两侧的外延层中形成有第一重掺杂区和第二重掺杂区，第一重掺杂区形成于所述第一STI结构所环绕的区域内的阱区中，第二重掺杂区形成于轻掺杂区中，阱区中还形成有口袋注入区，口袋注入区沿横向方向位于第一重掺杂区和栅极之间；第一STI结构和第二STI结构之间的外延层中还形成有第三重掺杂区和第四重掺杂区，第三重掺杂区形成于所述阱区中。 | ||
| 搜索关键词： | ldmos 器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司，未经上海华虹宏力半导体制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202111119049.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
