[发明专利]一种电容器阵列结构、及其制造方法及半导体存储器件在审
| 申请号： | 202111120106.1 | 申请日： | 2021-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN113991017A | 公开（公告）日： | 2022-01-28 |
| 发明（设计）人： | 李秀升 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L49/02 | 分类号： | H01L49/02;H01L27/108;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 北京中政联科专利代理事务所(普通合伙) 11489 | 代理人： | 郑久兴 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种电容器阵列结构的制造方法，包括：提供衬底，并于所述衬底上形成交替叠置的牺牲层及支撑层；在覆盖所述衬底的结构上形成电容孔；于所述电容孔内形成电容单元结构；在电容孔内形成电容单元结构之后通入硅源气体，于电容单元结构的表面形成晶种粒度；采用特气加倍或多倍的方式通入硅源气体、硼源气体、锗源气体进行反应以形成多晶种粒度，多晶种粒度在电容孔内扩散成膜以形成导电填充结构。通过采用特气加倍或多倍的方式在电容孔内保持多晶种粒度扩散成膜浓度不变的情况下，可以使通入的气体流量加倍，使形成的导电填充结构填充电容孔更加的致密且均匀，由此可以实现达到降低漏电,加强电容器阵列结构的作用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电容器 阵列 结构 及其 制造 方法 半导体 存储 器件 | ||
【主权项】：
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