[发明专利]一种大模场单模耐辐照铒镱共掺光纤及其制备方法有效
| 申请号： | 202111121323.2 | 申请日： | 2021-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN113917599B | 公开（公告）日： | 2022-08-05 |
| 发明（设计）人： | 折胜飞;侯超奇;郭海涛;高崧;张岩;李艺昭;王根成 | 申请（专利权）人： | 中国科学院西安光学精密机械研究所 |
| 主分类号： | G02B6/036 | 分类号： | G02B6/036;G02B6/02;C03B37/018;C03B37/027;C03C25/54;C03C25/44;C03C25/26;C03C25/1065 |
| 代理公司： | 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 | 代理人： | 王少文 |
| 地址： | 710119 陕西省西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种大模场单模耐辐照铒镱共掺光纤及其制备方法，解决了现有高能粒子辐照条件下铒镱共掺光纤性能下降甚至失效以及更高功率单模输出的问题，包括由内至外依次设置的纤芯、内包层、外包层；所述纤芯包括由内至外依次设置的中心芯层、环形下陷芯层、环外芯层；所述纤芯的Er、Yb组分含量由内到外沿径向呈幂函数渐变分布，幂函数的指数α为0.3～0.6，具体含量为：Er：0.05～0.3Wt.％，Yb：1～5Wt.％；纤芯共掺组分为P、Ce、F；所述外包层为下陷掺氟层。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 大模场 单模 辐照 铒镱共掺 光纤 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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