[发明专利]一种低损耗鳍型发射区IGBT器件及其制作方法在审
| 申请号： | 202111123352.2 | 申请日： | 2021-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN113871299A | 公开（公告）日： | 2021-12-31 |
| 发明（设计）人： | 马奎;邹密;杨发顺;杨赉 | 申请（专利权）人： | 贵州大学 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331;H01L21/28;H01L29/06;H01L29/08;H01L29/417;H01L29/739 |
| 代理公司： | 贵阳中新专利商标事务所 52100 | 代理人： | 商小川 |
| 地址： | 550025 贵州省贵*** | 国省代码： | 贵州;52 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种低损耗鳍型发射区IGBT器件及其制作方法，它包括：将器件的发射极侧制作为Mesa结构；制作完成发射极侧的Mesa结构后，将晶圆翻转制作背面集电极侧的结构；制作完集电极侧结构后，腐蚀掉整个晶圆上表面的二氧化硅，淀积金属形成Collector电极；在Mesa结构一侧进行操作，首先在二氧化硅层上开出发射区窗口；然后淀积金属形成Emitter电极；解决了现有技术为了降低IGBT的导通压降、关断损耗，提升两者之间的折中关系，现有技术研究工作主要针对集电极侧结构或发射极侧结构进行优化和改进；并不能实现最优的正向导通电压和关断能量损耗之间的折中关系等技术问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 损耗 发射 igbt 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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