[发明专利]一种砷化镓/石墨烯复合超材料太赫兹宽带吸收器有效

专利信息
申请号: 202111126379.7 申请日: 2021-09-26
公开(公告)号: CN113809544B 公开(公告)日: 2022-10-28
发明(设计)人: 张铭;孟宪睿;王如志;王长昊;席宇鹏;李赛楠;张持 申请(专利权)人: 北京工业大学
主分类号: H01Q15/00 分类号: H01Q15/00;H01Q17/00;G02B5/00
代理公司: 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 代理人: 刘萍
地址: 100124 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 一种砷化镓/石墨烯复合动态可调宽带太赫兹超材料吸收器,属于超材料及电磁功能材料领域。该吸收器分为上下两个部分,上部分由砷化镓(GaAs)/石墨烯超材料层,介电层与半导体GaAs层三部分组成;下部分包括十字石墨烯层,介电层和底层金属反射层三部分。金属反射层为一层连续的金属薄膜,厚度大于工作太赫兹波的趋肤深度;介质层为二氧化硅材料。顶层图形由石墨烯十字与四个大小相同的GaAs方框锁构成;第四层为与顶层尺寸不同的石墨烯十字阵列。本发明通过对石墨烯与GaAs层的尺寸优化与电压调控,实现对垂直入射电磁波的完全吸收。本发明结构简单且具有宽频带高吸收频率可调的特性,可用于太赫兹波段电磁波的收集和探测装置。
搜索关键词: 一种 砷化镓 石墨 复合 材料 赫兹 宽带 吸收
【主权项】:
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