[发明专利]一种N掺杂多孔碳复合中空NiCo2有效

专利信息
申请号: 202111126439.5 申请日: 2021-09-26
公开(公告)号: CN113838677B 公开(公告)日: 2023-08-22
发明(设计)人: 冯天生;武小雨;蒋婵;韩彤彦 申请(专利权)人: 冯天生
主分类号: H01G11/24 分类号: H01G11/24;H01G11/32;H01G11/86;H01M4/36;H01M4/38;H01M4/62
代理公司: 深圳峰诚志合知识产权代理有限公司 44525 代理人: 何耀平
地址: 438000 湖北*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明涉及活性碳电极材料技术领域,且公开了一种N掺杂多孔碳复合中空NiCo2O4电极材料,相对于单一的多孔碳电极材料,复合材料具有更低的导电性阻率以及更高的比电容,在多孔碳电极材料中引入NiCo2O4,能够进一步提升多孔碳电极材料的导电速率,NiCo2O4作为电极材料,在形成复合材料时,有效降低导电阻率,同时,复合材料之间形成的网状结构,会进一步提升电子传导速率,多孔碳材料为体积膨胀提供了一定的缓冲空间,且NiCo2O4材料在多孔碳结构中均匀生长也避免了的颗粒间的团聚行为,多孔与中空的特殊结构赋予复合材料更高的比表面积,氮原子的掺杂为复合材料电极提供了额外赝电容,同时,提升了复合材料对电解质的润湿性。
搜索关键词: 一种 掺杂 多孔 复合 中空 nico base sub
【主权项】:
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