[发明专利]可控硅检测仪及可控硅性能检测方法在审
| 申请号： | 202111128720.2 | 申请日： | 2021-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN114047419A | 公开（公告）日： | 2022-02-15 |
| 发明（设计）人： | 孟轩;金勇范 | 申请（专利权）人： | 西门子工厂自动化工程有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26;G01R31/327 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100016 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种可控硅检测仪，可控硅检测仪包括：一个电源模块、一个相位角选择模块、一个触发信号生成模块和一个信号检测模块；电源模块用于输出交流电压信号；相位角选择模块用于根据人员设置的触发相位角，对交流电压信号进行缺失处理，以使交流电压信号对应的正弦波形产生缺失，且缺失部分对应的相位角与触发相位角相同；触发信号生成模块用于将缺失处理后的交流电压信号转换为对应的方波触发信号，并将方波触发信号加载到待测可控硅的控制极上；述电源模块还用于为待测可控硅的正负极施加交流电压信号，信号检测模块用于对待测可控硅的正负极和电源模块所形成回路中的电路信号进行检测。本发明提高可控硅性能检测的准确性。 | ||
| 搜索关键词： | 可控硅 检测 性能 方法 | ||
【主权项】：
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