[发明专利]一种金属酞菁纳米线阵列及其制备方法与应用有效
| 申请号： | 202111131940.0 | 申请日： | 2021-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN113881918B | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 许金友;宋健;宋佳迅;廖记辉;赵子豪;张玲玉;王兴宇;周国富 | 申请（专利权）人： | 华南师范大学 |
| 主分类号： | C23C14/12 | 分类号： | C23C14/12;C23C14/02;B82Y40/00;B82Y30/00;H10K71/00;H10K30/50;H10K30/60;H10K10/46 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 张建珍 |
| 地址： | 510006 广东省广州市番禺区外*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种金属酞菁纳米线阵列及其制备方法与应用，所述金属酞菁纳米线阵列的制备方法包括步骤：S1，取表面具有沟道阵列的宝石作为衬底，对所述沟道阵列进行疏水处理；S2，取金属酞菁经物理气相沉积于经所述步骤S1处理的衬底表面形成若干金属酞菁纳米线，得到金属酞菁纳米线阵列。本发明公开的制备方法通过对表面具有沟道阵列的蓝宝石衬底进行表面疏水处理，再结合传统的PVD生长方法生长金属酞菁纳米线阵列，制备出的金属酞菁纳米线阵列水平有序、定向笔直、缺陷少，制备流程简单，成本低廉，可用于大规模生产，为基于金属酞菁纳米线批量构筑研发各种微纳光电器件提供理想的材料平台。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 金属 纳米 阵列 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
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