[发明专利]一种控制范德瓦耳斯外延与远程外延生长模式的装置及方法在审
| 申请号： | 202111132499.8 | 申请日： | 2021-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN113871473A | 公开（公告）日： | 2021-12-31 |
| 发明（设计）人： | 余晨辉;秦嘉怡;沈倪明;陈红富;陆炎;成田恬;罗曼 | 申请（专利权）人： | 南通大学 |
| 主分类号： | H01L29/772 | 分类号： | H01L29/772;H01L29/16;H01L21/335 |
| 代理公司： | 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 | 代理人： | 马玉雯 |
| 地址： | 226001 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种控制范德瓦耳斯外延与远程外延生长模式的装置及方法，利用氮化镓‑石墨烯衬底，通过改变给石墨烯层外加的栅极偏压，来控制外延生长模式的选择。若在石墨烯层栅极上外加正向偏压，那么石墨烯中的主要载流子类型为电子，抑制氮化镓的极性，外延生长模式选择的是传统的范德瓦耳斯外延，在石墨烯上只能生长二维范德瓦耳斯氮化镓单晶之外的薄膜。反之，若不对石墨烯层栅极施加外电压或者外加反向偏压，那么就选择远程外延，在石墨烯上将生长出二维范德瓦耳斯氮化镓单晶薄膜。本发明避免了因两种外延模式所需石墨烯厚度不同，而在生产过程中需多次制造衬底的问题。不仅可以生产高质量的氮化镓材料，还显著的节省了时间与制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 控制 范德瓦耳斯 外延 远程 生长 模式 装置 方法 | ||
【主权项】：
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