[发明专利]一种M型异质结半导体及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 202111133790.7 | 申请日： | 2021-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN113751036B | 公开（公告）日： | 2022-03-29 |
| 发明（设计）人： | 县涛;邸丽景;李红琴;孙小锋;马俊;高宇姝 | 申请（专利权）人： | 青海师范大学 |
| 主分类号： | B01J27/186 | 分类号： | B01J27/186;B01J35/02;B82Y30/00;B82Y40/00;C02F1/30;C02F101/22;C02F101/30;C02F101/34;C02F101/36;C02F101/38 |
| 代理公司： | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人： | 刘奇 |
| 地址： | 810008 青*** | 国省代码： | 青海;63 |
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| 摘要： |
本发明属于光催化剂技术领域，具体涉及一种M型异质结半导体及其制备方法和应用。本发明提供的M型异质结半导体利用Ag的费米能级低于BiOBr和Ag |
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| 搜索关键词： | 一种 型异质结 半导体 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
暂无信息
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