[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 202111134161.6 | 申请日： | 2021-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN114429940A | 公开（公告）日： | 2022-05-03 |
| 发明（设计）人： | 荫山聡 | 申请（专利权）人： | 罗姆股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L21/48;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 奚勇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本揭示的课题涉及一种半导体装置及半导体装置的制造方法。本揭示的目的在于简化半导体装置的制造步骤。本揭示的半导体装置具备：有机膜40，形成着在z方向贯通的贯通孔43且具有电绝缘性；导电层31，形成在有机膜40上，包含不含Ti的Cu系合金；Cu布线层32，形成在导电层31上；半导体元件20，安装在Cu布线层32上；密封树脂50，将半导体元件20密封；及外装端子60，连接到导电层31。导电层31具有从有机膜40的贯通孔43露出的露出导电部31a。外装端子60与露出导电部31a相接。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
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