[发明专利]一种适用于生长大厚度SiC单晶的装置及方法在审
| 申请号： | 202111135079.5 | 申请日： | 2021-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN113846382A | 公开（公告）日： | 2021-12-28 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B23/02;C30B23/06 |
| 代理公司： | 哈尔滨市伟晨专利代理事务所(普通合伙) 23209 | 代理人： | 姜俊婕 |
| 地址： | 150000 黑龙江省哈尔滨市松北区智谷二街3*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 本发明涉及PVT法生长碳化硅领域，公开了一种适用于生长大厚度SiC单晶的装置及方法，所述装置包括外坩埚、内坩埚，所述外坩埚套在内坩埚外部，且与上部连接件连接；所述上部连接件上端与电机连接；所述外坩埚外设置上部感应线圈，所述内坩埚外设置下部感应线圈，所述上部感应线圈与电机连接，所述上部、下部感应线圈分别接于不同电源。本发明解决了现有技术中感应加热原理导致生长后期热场温度梯度不足，达不到生长需求的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 适用于 生长 厚度 sic 装置 方法 | ||
【主权项】：
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