[发明专利]无金欧姆接触电极、半导体器件和射频器件及其制法在审
| 申请号： | 202111136252.3 | 申请日： | 2021-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN113889534A | 公开（公告）日： | 2022-01-04 |
| 发明（设计）人： | 蒋洋;汪青;于洪宇;郑韦志;杜方洲 | 申请（专利权）人： | 南方科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/778;H01L29/45;H01L21/336;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 付兴奇 |
| 地址： | 518000 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种无金欧姆接触电极、半导体器件和射频器件及其制法，属于射频器件领域。该形成于半导体器件的外延结构上的无金欧姆接触电极包括：接触层，堆叠于所述外延结构的顶表面；金属帽层，堆叠于所述接触层之上。其中，接触层包括合金结构、含硅结构或含低功函金属结构。该无金欧姆接触电极具有低的欧姆接触电阻，从而在基于其制作射频器件时，可以降低导通电阻，进而有助于获得输出功率的改善的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 欧姆 接触 电极 半导体器件 射频 器件 及其 制法 | ||
【主权项】：
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