[发明专利]一种集成电路、耗材芯片及MCU芯片在审
| 申请号： | 202111136265.0 | 申请日： | 2021-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN113745191A | 公开（公告）日： | 2021-12-03 |
| 发明（设计）人： | 王雄伟;康泽华;张虚谷 | 申请（专利权）人： | 珠海极海半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/50 | 分类号： | H01L23/50;H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京汇思诚业知识产权代理有限公司 11444 | 代理人： | 焦志刚 |
| 地址： | 519060 广东省珠海市横琴新*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请实施例提供一种集成电路、耗材芯片及MCU芯片，包括半导体衬底，半导体衬底包括第一区域、第二区域和深阱；深阱设置在半导体衬底中，并且延伸至半导体衬底表面，深阱围绕第一区域。第一区域包括第一掺杂区，第二区域包括第二掺杂区；第一掺杂区与信号地、电源地中的一者电连接，第二掺杂区与信号地、电源地中的另一者电连接。在本申请中，信号地与电源地设置在半导体衬底被深阱隔离的不同区域中，不仅隔离了信号地与电源地的电位，而且避免了信号地与电源地之间的信号串扰。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 集成电路 耗材 芯片 mcu | ||
【主权项】：
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