[发明专利]石墨烯氧化钒红外探测器、制备方法及其应用在审
申请号: | 202111138629.9 | 申请日: | 2021-09-27 |
公开(公告)号: | CN113851552A | 公开(公告)日: | 2021-12-28 |
发明(设计)人: | 田野;程传同 | 申请(专利权)人: | 苏州微光电子融合技术研究院有限公司 |
主分类号: | H01L31/09 | 分类号: | H01L31/09;H01L31/032;H01L31/18;H01L23/14 |
代理公司: | 苏州三英知识产权代理有限公司 32412 | 代理人: | 朱如松 |
地址: | 215212 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了石墨烯氧化钒红外探测器、制备方法及其应用,其中探测器包括响应部,包括基体,形成于基体上的电极,电极在基体表面形成有空缺部分,形成于电极上的石墨烯层,石墨烯层、电极以及基体限定所述空缺部分为腔结构,形成于石墨烯层上的Parylene薄膜层,形成于Parylene薄膜层上的氧化钒层,氧化钒层至少部分与电极电连接。本发明的探测器,制备工艺较为简单,而且石墨烯悬臂梁结构能够充分发挥石墨烯优秀的力学性能,也有助于充分发挥氧化钒红外探测器的性能,提高探测灵敏度。 | ||
搜索关键词: | 石墨 氧化 红外探测器 制备 方法 及其 应用 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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