[发明专利]一种硫化锑光电晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 202111140053.X | 申请日： | 2021-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN114156363A | 公开（公告）日： | 2022-03-08 |
| 发明（设计）人： | 邓辉;贾义;赖云锋;程树英 | 申请（专利权）人： | 福州大学;闽都创新实验室 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/109;C23C14/04;C23C14/06;C23C14/24;C23C18/12;C23C28/00 |
| 代理公司： | 福州元创专利商标代理有限公司 35100 | 代理人： | 张灯灿;蔡学俊 |
| 地址： | 350108 福建省福州市*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： |
本发明涉及一种硫化锑光电晶体管及其制备方法，所述光电晶体管自下而上依次包括衬底、吸光PN结和表面金属电极，所述衬底包括重掺杂Si栅极和设于其上的SiO |
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| 搜索关键词： | 一种 硫化锑 光电晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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