[发明专利]半导体结构及其制备方法

摘要

本申请提供了一种半导体结构及其制备方法。半导体结构的制备方法包括：在半导体衬底表面形成覆盖高压器件区和低压器件区的堆叠结构；在所述堆叠结构的顶面形成图案化的第一刻蚀掩膜层，以图案化的所述第一刻蚀掩膜层为掩蔽刻蚀所述堆叠结构和所述半导体衬底，以形成第一沟槽和第二沟槽；形成绝缘层以填充所述第一沟槽和所述第二沟槽，且覆盖所述堆叠结构的顶面；以及在所述绝缘层的顶面形成图案化的第二刻蚀掩膜层，以图案化的所述第二刻蚀掩膜层为掩蔽刻蚀所述绝缘层和所述半导体衬底，以增大所述第一沟槽的开口尺寸和所述第一沟槽的深度。