[发明专利]三维存储器及其控制方法有效

专利信息
申请号: 202111141172.7 申请日: 2020-11-26
公开(公告)号: CN113838508B 公开(公告)日: 2023-07-28
发明(设计)人: 谢学准;宋雅丽;靳磊;赵向南;闵园园;贾建权 申请(专利权)人: 长江存储科技有限责任公司
主分类号: G11C16/04 分类号: G11C16/04;G11C16/08;G11C16/26;G06F3/06
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 杜娟;骆希聪
地址: 430079 湖北省武*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明涉及一种三维存储器及其控制方法,所述三维存储器包括沿衬底的垂直方向堆叠的第一堆栈和第二堆栈,第一堆栈和第二堆栈都分别包括多个存储串,每个存储串包括多个存储单元,多个存储单元包括第一部分和第二部分,其中第一部分的存储单元对应的沟道结构的直径小于第二部分的存储单元对应的沟道结构的直径,方法包括:对选中的存储单元进行读操作,选中的存储单元在第一堆栈和/或第二堆栈中;向第一堆栈和第二堆栈中除选中的存储单元之外的未选中的存储单元施加导通电压,第一导通电压小于第二导通电压,其中,向第一部分中的第一未选中存储单元施加第一导通电压,向第二部分中的第二未选中存储单元施加第二导通电压。
搜索关键词: 三维 存储器 及其 控制 方法
【主权项】:
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