[发明专利]具有凹入导电结构的电子装置及相关方法和系统在审

专利信息
申请号: 202111141861.8 申请日: 2021-09-28
公开(公告)号: CN114388523A 公开(公告)日: 2022-04-22
发明(设计)人: S·古普塔;A·查杜鲁;S·M·I·侯赛因 申请(专利权)人: 美光科技公司
主分类号: H01L27/1157 分类号: H01L27/1157;H01L27/11575;H01L27/11582
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 王龙
地址: 美国爱*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 本申请涉及具有凹入导电结构的电子装置及相关方法和系统。所述电子装置包括:堆叠结构,其包括布置成层的竖直交替的绝缘结构和导电结构;导柱,其竖直延伸穿过所述堆叠结构;以及屏障材料,其上覆于所述堆叠结构。所述电子装置包括延伸穿过所述屏障材料并进入所述堆叠结构的上部层部分的第一绝缘材料和横向邻近所述第一绝缘材料且横向邻近所述堆叠结构的所述上部层部分中的所述导电结构中的至少一些的第二绝缘材料。所述第二绝缘材料的至少一部分与所述屏障材料竖直对准。
搜索关键词: 具有 导电 结构 电子 装置 相关 方法 系统
【主权项】:
暂无信息
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