[发明专利]多带电粒子束描绘装置以及多带电粒子束描绘方法在审
| 申请号： | 202111142682.6 | 申请日： | 2021-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN114388351A | 公开（公告）日： | 2022-04-22 |
| 发明（设计）人： | 加藤靖雄;川名亮 | 申请（专利权）人： | 纽富来科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;G03F7/20 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 刘杰 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种多带电粒子束描绘装置以及多带电粒子束描绘方法，该装置具备：多个剂量数据生成电路，生成试样的描绘区域内的各位置的剂量数据；带余量块区域生成电路，生成在试样的各块区域的周围附加余量区域的多个带余量块区域；检测电路，检测缺陷射束；确定电路，确定缺陷射束照射的位置；所属判定电路，按照根据缺陷射束照射的位置成为多个子块区域的哪个区域来设定的条件，判定缺陷射束照射的位置所属的多个带余量块区域中的一个；缺陷射束校正电路，使用所属的带余量块区域内的各位置的剂量的数据，运算校正剂量异常的至少一个位置的校正剂量；描绘机构，使用校正剂量异常的至少一个位置的剂量被控制为校正剂量的多带电粒子束，在试样上描绘图案。 | ||
| 搜索关键词： | 带电 粒子束 描绘 装置 以及 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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