[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 202111144567.2 | 申请日： | 2021-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN113871455B | 公开（公告）日： | 2023-08-18 |
| 发明（设计）人： | 潘嘉;杨继业;邢军军;陈冲 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/739;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 唐嘉 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，其中结构包括：衬底；位于衬底内的深沟结构，深沟结构与衬底反型，衬底的顶面暴露出深沟结构的顶面，衬底的底面暴露出深沟结构的底面；衬底和深沟结构的底部具有电场中止区和集电区；位于衬底和深沟结构的顶面的第一外延层；位于第一外延层内的体区；位于体区内的源区；位于第一外延层内的栅极结构。所述半导体结构的性能好。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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