[发明专利]一种含W低活化高熵合金及其制备方法

摘要

本发明公开了一种一种含W低活化高熵合金薄膜及其制备方法。其特征在于利用共溅射和交替溅射沉积(TiVCr)100‑xWx高熵合金和单相W层，形成具有不同单层厚度(TiVCr)100‑xWx/W纳米多层结构，其中(TiVCr)100‑xWx层中掺杂不同的W含量，W单层中通过层厚可调节α‑W和β‑W，通过不同相的组合、界面强化以及固溶强化，获得具有优异力学和物理性能的含W的低活化高熵合金材料。本发明方法操作简单，重复性好，清洁无污染，所制备薄膜表面平整，膜厚均匀，具有低活化，高热稳定性，抗辐照损伤等性能优势，相比TiVCr单相薄膜性能显著提升，具有良好的应用前景。