[发明专利]集成电路存储器装置和静态随机存取存储器装置在审
| 申请号： | 202111145879.5 | 申请日： | 2021-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN114496023A | 公开（公告）日： | 2022-05-13 |
| 发明（设计）人： | 崔泰敏;郑盛旭;赵健熙 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社;延世大学校产学协力团 |
| 主分类号： | G11C11/413 | 分类号： | G11C11/413;G11C11/416 |
| 代理公司： | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人： | 李娜;赵莎 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了集成电路存储器装置和静态随机存取存储器装置。集成电路存储器装置包括静态随机存取存储器(SRAM)单元和电耦接到所述SRAM单元的电荷存储电路。提供了电耦接到所述电荷存储电路的开关控制器。所述开关控制器和所述电荷存储电路被共同配置为通过以下方式循环与电耦接到所述SRAM单元的位线相关联的电荷来节省功率：(i)一旦SRAM单元写入操作开始，就从所述位线向电耦接到所述SRAM单元内的一对NMOS下拉晶体管的源极端子的电荷存储节点传输电荷，然后(ii)一旦所述SRAM单元写入操作完成，就使至少一部分电荷返回所述位线。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 存储器 装置 静态 随机存取存储器 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社;延世大学校产学协力团，未经三星电子株式会社;延世大学校产学协力团许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202111145879.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种汽车玻璃加工的热成型工艺
- 下一篇：织机
