[发明专利]一种二维Bi2在审

专利信息
申请号: 202111149055.5 申请日: 2021-09-29
公开(公告)号: CN113690145A 公开(公告)日: 2021-11-23
发明(设计)人: 陈翔;戴晨东;熊云海;许多;李志 申请(专利权)人: 南京理工大学
主分类号: H01L21/336 分类号: H01L21/336;H01L21/02;H01L21/465;H01L29/24;H01L29/772
代理公司: 上海创开专利代理事务所(普通合伙) 31374 代理人: 李兰兰
地址: 210094 江苏省南*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种二维Bi2O2Se薄膜厚度的调控方法,包括如下步骤:通过化学气相沉积方法在第一衬底上制得具有第一厚度的二维Bi2O2Se薄膜;采用等离子体刻蚀工艺将所述二维Bi2O2Se薄膜的厚度调控至第二厚度,其中,所述等离子体刻蚀工艺的刻蚀设备真空度为6.4×10‑4Pa,射频功率为120W,中和器电流为500mA,离子束电流范围为80mA至100mA,离子束电压为从200V至280V,Ar流量为10sccm,O2流量为6sccm,刻蚀时间为6‑20秒。该方法操作简单,重复性好,对二维Bi2O2Se薄膜材料实现均匀减薄。
搜索关键词: 一种 二维 bi base sub
【主权项】:
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