[发明专利]用于外延生长大尺寸单晶金刚石的复合衬底的制备方法在审
| 申请号： | 202111149654.7 | 申请日： | 2021-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN113832541A | 公开（公告）日： | 2021-12-24 |
| 发明（设计）人： | 周兵;马永;于盛旺;王永胜;郑可;吴艳霞;黑鸿君;高洁 | 申请（专利权）人： | 太原理工大学 |
| 主分类号： | C30B25/18 | 分类号： | C30B25/18;C30B29/04 |
| 代理公司： | 太原市科瑞达专利代理有限公司 14101 | 代理人： | 申艳玲 |
| 地址： | 030024 山西*** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于外延生长大尺寸单晶金刚石的复合衬底的制备方法，首先将抛光的氧化钇稳定氧化锆（YSZ）单晶晶片表面用金刚石微粉超声预处理，清洗后固定在真空镀膜室的旋转样品台上；将镀膜室抽至本底真空后通入惰性气体或氮气，对YSZ晶片表面进行离子刻蚀清洗；真空加热YSZ单晶晶片，在其表面以不同沉积速率依次外延生长铱单晶薄膜，得到YSZ基铱单晶薄膜复合衬底，为外延生长高质量的大尺寸单晶金刚石提供技术基础。该方法直接利用高质量单晶晶片衬底得到晶体取向一致的铱单晶薄膜，避免了硅基片表面氧化物缓冲层外延生长，降低了铱单晶薄膜衬底的生长缺陷，对于外延生长大尺寸单晶金刚石具有重要意义。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 外延 生长 尺寸 金刚石 复合 衬底 制备 方法 | ||
【主权项】：
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