[发明专利]抗软错误的SRAM在审
| 申请号： | 202111151642.8 | 申请日： | 2021-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN113851176A | 公开（公告）日： | 2021-12-28 |
| 发明（设计）人： | 刘中阳;肖军 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/08 | 分类号： | G11C29/08 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种抗软错误的SRAM的SRAM存储单元具有双重互锁结构，包括：共源连接的第一和第二NMOS管并由第一和第二NMOS管提供互锁的第一和第二存储节点，共源连接的第一和第二PMOS管并由第一和第二PMOS管提供互锁的第三和第四存储节点，共漏连接的第五MOS晶体管的栅极和源极连接在同相的第一和第三存储节点之间，共漏连接的第六MOS晶体管的栅极和源极连接在同相的第二和第四存储节点之间；共源连接的第七MOS晶体管的栅极和漏极连接在反相的第一和第四存储节点之间；共源连接的第八MOS晶体管的栅极和漏极连接在反相的第二和第三存储节点之间，第五至第八MOS晶体管都为PMOS管。本发明能容忍一个节点电位发生翻转，且能降低静态漏电功耗。 | ||
| 搜索关键词： | 错误 sram | ||
【主权项】：
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