[发明专利]一种高迁移率透明导电氧化物薄膜及其制备方法有效
| 申请号： | 202111156884.6 | 申请日： | 2021-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN113913764B | 公开（公告）日： | 2023-05-16 |
| 发明（设计）人： | 黄仕华;李林华;郝亚非 | 申请（专利权）人： | 浙江师范大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/58;C03C17/245;C23C14/00;C23C14/08 |
| 代理公司： | 杭州之江专利事务所(普通合伙) 33216 | 代理人： | 朱枫 |
| 地址： | 321004 *** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高迁移率透明导电氧化物薄膜及其制备方法，TCO薄膜生长采用反应射频磁控溅射法，在室温下生长碲与钪共掺杂的氧化铟TCO薄膜；溅射用靶材为铟靶、碲靶、钪靶，溅射工作气体为氩气，反应气体为氧气；在TCO薄膜生长之前，溅射室只通入氩气，对三靶进行15‑30分钟的预溅射，去除靶材表面吸附的杂质以及表面氧化物，当TCO薄膜开始生长时，氩气和氧气经过混气室充分混合以后进入溅射室，氩气与氧气的流量之比为50:1~20:1，溅射气压为0.1~0.4 Pa；铟靶溅射功率200 W，碲靶溅射功率为20~30 W，钪靶溅射功率为1~2 W；基底沉积温度为室温，溅射时间为10~20分钟。本发明获得的TCO薄膜中的载流子迁移率高、电阻率较低，同时光透过率也高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 迁移率 透明 导电 氧化物 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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