[发明专利]一种减小米勒电容的MOSFET制造方法在审
| 申请号： | 202111157342.0 | 申请日： | 2021-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN113782447A | 公开（公告）日： | 2021-12-10 |
| 发明（设计）人： | 潘光燃;胡瞳腾 | 申请（专利权）人： | 深圳市芯电元科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 深圳市中融创智专利代理事务所(普通合伙) 44589 | 代理人： | 邹蓝;叶垚平 |
| 地址： | 518049 广东省深圳市福田区梅林*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种减小米勒电容的MOSFET制造方法，采用本方法制造的MOSFET，第二多晶硅(多晶硅栅)下方与外延层(漏端)之间的介质层包括第一氧化层、氮化硅和第三氧化层，而传统方法中多晶硅栅下方与漏端之间的介质层为单一的栅氧化层，显而易见，本方法制造的MOSFET的介质层厚度大于现有技术中的栅氧化层，介质层厚度越大对应的电容值越小，因此本发明的MOSFET的多晶硅栅底部与漏端之间的寄生电容比传统方法较小，降低了作为开关电路时的开关损耗，可适用于高频领域，具有更广的适用范围。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 减小 米勒 电容 mosfet 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
