[发明专利]一种AlGaInN发光二极管的接触结构在审
| 申请号： | 202111158607.9 | 申请日： | 2021-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN113921677A | 公开（公告）日： | 2022-01-11 |
| 发明（设计）人： | 吴小明;莫春兰;陈芳;王立;李新华;蒋恺 | 申请（专利权）人： | 南昌大学;南昌硅基半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/40 | 分类号： | H01L33/40;H01L33/36 |
| 代理公司： | 江西省专利事务所 36100 | 代理人： | 张文 |
| 地址： | 330031 江西省*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种AlGaInN发光二极管的接触结构，包括AlGaInN接触层，第一接触层和第二接触层；第二接触层越过第一接触层与AlGaInN接触层接触；第一接触层位于AlGaInN接触层和第二接触层之间；第一接触层至少与AlGaInN接触层和第二接触层的一个是肖特基接触或者绝缘。本发明通过改变第一接触层面积，调节AlGaInN接触层与第二接触层的在各处的接触面积和电阻，在保证电流在第二接触层上传输的前提下，分配AlGaInN接触层和器件各处所获得的电流比例。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 algainn 发光二极管 接触 结构 | ||
【主权项】：
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