[发明专利]一种辐照加固的SiC超结MOS结构有效
| 申请号： | 202111167188.5 | 申请日： | 2021-10-03 |
| 公开（公告）号： | CN114050186B | 公开（公告）日： | 2023-09-19 |
| 发明（设计）人： | 周新田;张仕达;贾云鹏;胡冬青;吴郁 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/16;H01L29/167;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人： | 刘萍 |
| 地址： | 100124 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种辐照加固的SiC超结MOS结构，从下至上依次为N+漏区，P柱和N柱交替排列，位于N+漏区的上表面；左侧P‑base区、右侧P‑base区、左侧N‑source区、右侧N‑source区位于所述P‑base5的上表面；左中右三个P柱在芯片内部连为一体，并与左侧P‑plus区、右侧P‑plus相连；栅氧位于所述左侧N‑source区部分区域、右侧N‑source区部分区域、左侧P‑base区的预设区部分区域、右侧P‑base区的预设区部分区域、部分N柱的上表面；多晶硅栅，位于栅氧与隔离氧之间，栅氧位于最上端。本发明具有较强的抗辐照能力，同时具有栅漏电容低、开关损耗低、短路能力强的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 辐照 加固 sic mos 结构 | ||
【主权项】：
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