[发明专利]一种微纳尺寸的无源生长硅酸盐材料的生长方法有效
| 申请号： | 202111168612.8 | 申请日： | 2021-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN114086151B | 公开（公告）日： | 2022-09-23 |
| 发明（设计）人： | 庄秀娟;郑敏;潘安练 | 申请（专利权）人： | 湖南大学 |
| 主分类号： | C23C16/30 | 分类号： | C23C16/30;C23C16/44;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 长沙市融智专利事务所(普通合伙) 43114 | 代理人： | 蒋太炜 |
| 地址： | 410082 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种微纳尺寸的硅酸铒材料的无源生长制备方法。本发明所述方法中，其整个生长过程中只存在铒源和衬底硅片，没有引入其他的硅源，所述铒源为含铒的盐。其得到的纳米材料为硅酸铒纳米线和/或硅酸铒纳米片，所得产品均具有良好的光学性质。本发明生长硅酸盐材料简单可控，节省源材料，便于大规模生产和应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 尺寸 无源 生长 硅酸盐 材料 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于湖南大学，未经湖南大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202111168612.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
