[发明专利]一种耐高压SiC PIN二极管及其制造方法在审
| 申请号： | 202111169987.6 | 申请日： | 2021-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN113921593A | 公开（公告）日： | 2022-01-11 |
| 发明（设计）人： | 张瑜洁;施广彦;李佳帅;李志君;黄波 | 申请（专利权）人： | 泰科天润半导体科技（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/16;H01L29/868;H01L21/329 |
| 代理公司： | 福州市鼓楼区京华专利事务所(普通合伙) 35212 | 代理人： | 王牌 |
| 地址： | 100000 北京市海淀区西小口路66号中关村东升科技园*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种耐高压SiCPIN二极管及其制造方法，所述二极管包括：N型欧姆电极；N型重掺杂半导体传输层，所述N型重掺杂半导体传输层的下侧面连接至所述N型欧姆电极的上侧面；N型本征层，所述N型本征层的下侧面连接至所述N型重掺杂半导体传输层的上侧面；耐压提高层，所述耐压提高层的下侧面连接至所述N型本征层的上侧面，所述耐压提高层的材料为金刚石或二氧化硅；P型重掺杂半导体传输层，所述P型重掺杂半导体传输层下侧面连接至所述耐压提高层的上侧面；及，P型欧姆电极，所述P型欧姆电极的下侧面连接至所述P型重掺杂半导体传输层的上侧面，提高SiCPIN二极管的耐压能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高压 sic pin 二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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