[发明专利]集成电路器件在审

专利信息
申请号: 202111171256.5 申请日: 2021-10-08
公开(公告)号: CN114300468A 公开(公告)日: 2022-04-08
发明(设计)人: 崔埈荣 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: H01L27/11568 分类号: H01L27/11568;H01L27/11563;H01L21/768
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 屈玉华
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 一种集成电路器件包括:衬底,在其中具有有源区;在衬底上的位线;以及直接接触,在有源区和位线之间延伸并将位线电连接到有源区的一部分。还提供间隔物结构,其在位线的侧壁上以及在直接接触的侧壁上延伸。提供场钝化层,其在直接接触的侧壁与间隔物结构之间延伸。间隔物结构和场钝化层可以包括不同的材料,并且场钝化层可以与直接接触的侧壁直接接触。场钝化层可以包括非化学计量硅氧化物SiOx,其中0.04≤x≤0.4,并且可以具有约或更小的厚度。
搜索关键词: 集成电路 器件
【主权项】:
暂无信息
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