[发明专利]可重新配置的互补金属氧化物半导体装置及方法

摘要

本申请涉及可重新配置的互补金属氧化物半导体装置及方法，揭示具有多种操作模式(如倍频模式等)的可重新配置的互补金属氧化物半导体装置。装置包括N型场效应晶体管(NFET)及P型场效应晶体管(PFET)，其是阈值电压可编程，并联连接，并具有电性连接的栅极。可同时编程NFET及PFET的阈值电压，并可依据在NFET及PFET中达到的阈值电压的特定组合设置装置的操作模式。可选地，可同时重新编程NFET及PFET的阈值电压，以切换操作模式。这样的装置较小，并以最小的功耗达到倍频及其它功能。本申请还揭示用于形成装置以及用于重新配置装置(也就是，用于同时编程NFET及PFET以设置或切换操作模式)的方法。