[发明专利]具有缓冲保护膜的异质结太阳能电池及其制备方法

摘要

本发明公开了一种具有缓冲保护膜的异质结太阳能电池及其制备方法，它包括晶体硅衬底（1），其正反两面均沉积有非晶硅本征层（2），非晶硅本征层的外侧分别沉积有N‑型和P‑型掺杂非晶硅层，P‑型掺杂非晶硅层（4）外侧沉积有缓冲保护透明导电膜（5），缓冲保护透明导电膜和N‑型掺杂非晶硅层（3）的外侧沉积制备有透明导电层（6），透明导电层的外侧设有金属电极（7），制备方法包括：采用气相沉积法在P‑型掺杂非晶硅层上沉积缓冲保护透明导电膜，采用磁控溅射法在缓冲保护透明导电膜和N‑型非晶硅上沉积透明导电层。本发明极大地降低了低高能粒子对掺杂非晶硅层的轰击损伤，保护了异质结电池PN结性能，提升异质结太阳能电池性能。