[发明专利]一种膜层沉积腔室及磁控溅射设备在审

专利信息
申请号: 202111178475.6 申请日: 2021-10-10
公开(公告)号: CN113774350A 公开(公告)日: 2021-12-10
发明(设计)人: 张松林;张斌 申请(专利权)人: 成都超迈光电科技有限公司
主分类号: C23C14/35 分类号: C23C14/35;C23C14/52;C23C14/56
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 610012 四川省成都市龙*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明公开了一种膜层沉积腔室及磁控溅射设备,内部适于通过载板并对载板上的工件进行成膜,还包括壳体、观察窗和挡板,所述壳体上设置有所述观察窗,所述观察窗用于提供观察所述载板的窗口,所述壳体的内部和外部均设置有所述挡板,所述挡板用于遮挡所述观察窗,所述挡板包括第一挡板和第二挡板;本发明中,在壳体上设置有观察窗,在观察窗的内侧和外侧设置有挡板,通过设置第一挡板的遮挡,使腔室在用于进行磁控溅射时,靶材材料、灰尘及其他杂质不容易落在观察窗上,在壳体的外部铰接第二挡板,通过第二挡板使观察窗的外部选择性的遮挡,从而改善了观察窗内部和外部容易被污染的问题果。
搜索关键词: 一种 沉积 磁控溅射 设备
【主权项】:
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