[发明专利]发光性能稳定的量子点复合转光材料及制备其的磁控溅射法在审

专利信息
申请号: 202111183589.X 申请日: 2021-10-11
公开(公告)号: CN113897192A 公开(公告)日: 2022-01-07
发明(设计)人: 胡广齐;叶炜浩;陈焰;梁敏婷 申请(专利权)人: 佛山安亿纳米材料有限公司
主分类号: C09K11/02 分类号: C09K11/02;C09K11/62;C23C14/35;C23C14/08;C23C14/10
代理公司: 广州三环专利商标代理有限公司 44202 代理人: 肖宇扬
地址: 528143 广东省佛*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明的目的在于提供一种发光性能稳定的量子点复合转光材料包括基底和沉积于基底表面的包覆膜,基底为内部填充有量子点的聚硅氧烷微球,包覆膜为采用磁控溅射法成型。本发明采用单晶硅、金属钛、金属铝或上述物料中的任意组合作为靶材,以O2、N2作为反应气体,可以生成SiO2、TiO2、TiN、TiCN、Al2O3成膜物质中的至少一种,进而可以形成由两种以上上述成膜物质的复合沉积构成的包覆膜。上述包覆膜在起到增强基底耐候性的同时又基本不会影响其原本的的发光性能。
搜索关键词: 发光 性能 稳定 量子 复合 材料 制备 磁控溅射
【主权项】:
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