[发明专利]基于磁性多层膜结构的反常能斯特效应热电器件在审
| 申请号： | 202111186841.2 | 申请日： | 2021-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN115968246A | 公开（公告）日： | 2023-04-14 |
| 发明（设计）人： | 万蔡华;韩秀峰;司文荣;王翼展;梁云;陈川;黄辉 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所;国网上海市电力公司;全球能源互联网研究院有限公司 |
| 主分类号： | H10N15/20 | 分类号： | H10N15/20 |
| 代理公司： | 北京市正见永申律师事务所 11497 | 代理人： | 黄小临;冯玉清 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： |
本发明涉及基于磁性多层膜结构的反常能斯特效应热电器件。根据一实施例，一种热电器件包括磁性多层膜结构和包围磁性多层膜结构的保护层，磁性多层膜结构包括[反铁磁层/铁磁层] |
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| 搜索关键词： | 基于 磁性 多层 膜结构 反常 能斯特 效应 热电器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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