[发明专利]一种增强PcBN复合片界面结合能力的制备方法在审
| 申请号： | 202111189632.3 | 申请日： | 2021-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN113941708A | 公开（公告）日： | 2022-01-18 |
| 发明（设计）人： | 吴一;孙爱玲 | 申请（专利权）人： | 桂林理工大学 |
| 主分类号： | B22F7/04 | 分类号： | B22F7/04;B22F9/04;B22F1/17;B22F1/142;B22F1/145;C22C29/08;C23C14/16;C23C14/35 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 541004 广西壮*** | 国省代码： | 广西;45 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种增强PcBN复合片界面结合能力的制备方法，将立方氮化硼微粉、钛粉、铝粉一起在球磨罐中混合均匀，然后干燥处理，高温真空处理，还原处理，再和表面磁控溅射镀钛的碳化钨‑钴硬质合金组装成块后在六面顶压机中进行高温高压烧结合成聚晶立方氮化硼复合片。钛在烧结体界面处，可与上下层各元素(硼、氮、铝、碳、钴)反应形成化学键合、冶金结合，在过渡层处生成一系列增强相(二硼化钛、碳化钛、氮化碳、钛铝合金、钛钴合金等)，可以平衡聚晶立方氮化硼层与硬质合金层间存在的膨胀系数之差和弹性模量之差，减少界面结合处存在的较大组织应力，根本上解决界面结合不良，增强界面结合能力，提升整体力学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 增强 pcbn 复合 界面 结合 能力 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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