[发明专利]非易失性存储器辐射效应测试方法、装置和计算机设备在审

专利信息
申请号: 202111190652.2 申请日: 2021-10-13
公开(公告)号: CN114005486A 公开(公告)日: 2022-02-01
发明(设计)人: 张战刚;黄云;彭超;雷志锋;何玉娟;肖庆中;路国光;来萍 申请(专利权)人: 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))
主分类号: G11C29/56 分类号: G11C29/56
代理公司: 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 代理人: 邓丹
地址: 511300 广东省*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 本申请涉及一种非易失性存储器辐射效应测试方法、装置、计算机设备和存储介质,应用于内置非易失性存储器的存储芯片,该方法包括:对被测芯片进行工作模式配置和初始数据写入操作,以使被测芯片中的易失性存储器写入初始数据;控制被测芯片断电,等待预设时长,以使初始数据从非易失性存储器自动写入非易失性存储器;控制辐照装置以预设辐照参数,辐照非易失性存储器;控制被测芯片上电,等待设定时间,以使易失性存储器从非易失性存储器中读出反馈数据;获取反馈数据,并根据反馈数据和初始数据,得到辐射效应测试结果并输出。上述非易失性存储器辐射效应测试方法,无需直接访问非易失性存储器,有利于扩展存储器辐射效应测试方法的应用场景。
搜索关键词: 非易失性存储器 辐射 效应 测试 方法 装置 计算机 设备
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室)),未经中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202111190652.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top