[发明专利]集成电路中的集成电容器在审
| 申请号： | 202111195718.7 | 申请日： | 2021-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN114582885A | 公开（公告）日： | 2022-06-03 |
| 发明（设计）人： | E·N·斯蒂芬诺夫;P·K·阿布达 | 申请（专利权）人： | 恩智浦美国有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L49/02 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 张小稳 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开涉及集成电路中的集成电容器。本文公开一种SOI IC，所述SOI IC包括集成电容器，所述集成电容器包括金属‑绝缘体‑金属MIM电容器、第二电容器、第三电容器和第四电容器的并联布置：其中所述第二电容器包括所述衬底和具有n型掺杂的多个半导体层中的一个作为板，且包括掩埋氧化物层作为电介质；所述第三电容器包括多晶硅层和具有n型掺杂的多个半导体层中的另外的一个作为板，且包括所述多个半导体层与金属化堆栈之间的绝缘层作为电介质；并且所述第四电容器包括多晶硅插塞和所述多个半导体层中的至少一个作为板，且包括氧化物内衬作为电介质，其中所述氧化物内衬和所述多晶硅插塞形成横向隔离(DTI)结构的一部分。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 中的 集成 电容器 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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