[发明专利]3D非易失性存储装置及其读数据方法、写数据方法在审
| 申请号： | 202111199608.8 | 申请日： | 2021-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN114067879A | 公开（公告）日： | 2022-02-18 |
| 发明（设计）人： | 周小锋 | 申请（专利权）人： | 西安紫光国芯半导体有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/409 | 分类号： | G11C11/409;G11C11/4093;G11C11/4096;H01L25/18 |
| 代理公司： | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人： | 黎坚怡 |
| 地址： | 710000 陕西省西安市西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请公开了一种3D非易失性存储装置及其读数据方法、写数据方法。该3D非易失性存储装置包括：控制晶圆，设有NVM接口；缓存晶圆，设置在控制晶圆的一侧，且与NVM接口电连接；非易失性存储晶圆，设置在控制晶圆设有缓存晶圆的一侧，且与NVM接口电连接；控制晶圆接收写请求，判断缓存晶圆是否还有缓存空间，若否，控制晶圆将缓存晶圆中存储的部分数据转存至非易失性存储晶圆，并将写请求对应的数据写入缓存晶圆；其中，转存至非易失性存储晶圆中的部分数据为优先级低的数据。本申请能够实现3D结构的非易失性存储装置，且能够降低非易失性存储装置的读写时延，进而提高其数据读写效率，且提高非易失性存储装置的集成度，节约成本。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性 存储 装置 及其 读数 方法 数据 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安紫光国芯半导体有限公司，未经西安紫光国芯半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202111199608.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
