[发明专利]混合多堆叠半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202111202233.6 | 申请日： | 2021-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN114512481A | 公开（公告）日： | 2022-05-17 |
| 发明（设计）人： | 宋昇炫;洪炳鹤 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/088 | 分类号： | H01L27/088;H01L21/8234;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 王新华 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种混合多堆叠半导体器件及其制造方法。该混合多堆叠半导体器件包括纳米片堆叠和形成在纳米片堆叠之上的鳍式场效应晶体管(finFET)堆叠，其中纳米片堆叠包括形成在衬底之上并被第一栅极结构围绕的多个纳米片层，其中finFET堆叠包括被第二栅极结构围绕的至少一个鳍结构，其中所述至少一个鳍结构具有相对于纳米片堆叠的自对准形式，使得在所述至少一个鳍结构的最左侧表面与纳米片堆叠的左侧表面之间的左水平距离等于在所述至少一个鳍结构的最右侧表面与纳米片堆叠的右侧表面之间的右水平距离。 | ||
| 搜索关键词： | 混合 堆叠 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
