[发明专利]使用帽盖和包裹式电介质间隔体的垂直金属划分在审
| 申请号： | 202111202911.9 | 申请日： | 2021-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN114512455A | 公开（公告）日： | 2022-05-17 |
| 发明（设计）人： | L·P·古勒尔;C·H·华莱士;P·A·尼许斯 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L21/768;H01L23/50;H01L23/522 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 林金朝 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了用于制造IC结构，例如，用于制造IC结构的金属化堆叠体部分以及相关半导体器件的方法。一种示例性制造方法包括通过使用帽盖和包裹式电介质间隔体将本打算以紧密间距包括在单个金属化层中的金属线划分成两个垂直堆叠的层(因此，称为术语“垂直金属划分”)。划分成两个这样的层的金属线可以在每个层中以更稀疏的间距布置，与之相比，如果它们包括在单个层中，相同尺寸的金属线不得不以更紧密的间距布置。增大金属线的间距可以有利地允许减小与金属化堆叠体相关联的寄生金属到金属电容。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 包裹 电介质 间隔 垂直 金属 划分 | ||
【主权项】：
暂无信息
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